等离子体增强原子层沉积系统

型号:ALD-SC6-PE / ALD-SC8-PE/ ALD-SC12-PE

品牌:SYSKEY

分类:真空镀膜设备

简述:金属有机物前驱体和反应气体在真空腔体交替填充、覆盖且反应,形成原子级精度(厚度和原子排布)的薄膜。

等离子体增强原子层沉积系统

Plasma Enhansed Atomic Layer Deposition - PEALD

用高速隔膜阀使得前驱体以脉冲的方式填充腔体到表面吸附饱和,再使用反应气体将腔内表面的自由基反应成目标材料,反复执行,即可在腔内形成单晶超薄薄膜。可沉积大部分氧化和氮化物薄膜,也可根据应用需求沉积硫化物,硒化物等。目标薄膜的厚度多在 0-100 nm 范围区间,薄膜致密性好,晶格取向一致,且可覆盖或填充各种微纳结构,是目前已知的覆盖度较好的薄膜技术。

原子层沉积原理


金属有机物前驱体兼容性强,合成相对灵活,所以原子层沉积技术基本可以覆盖绝大部分常用材料薄膜。

原子层沉积相关的元素


原子层沉积技术以气流与待沉积表面的相对方向可分为水平流和垂直流,二者均可实现大面良好均匀性沉积。

Syskey PEALD构造


应用领域:

      介质薄膜

      半导体薄膜

      光学薄膜

      薄膜封装


应用展示:




配置选型:


配置特点:

      样品尺寸:6寸、8寸、12寸

      本底真空优于 5 × 10-2 Torr

      前驱物管路:最多 6 路前驱物,其中一路为H2O

      反应气体:氧气,臭氧,氮气,氨气,氢气,根据镀膜材料选择

      前驱物加热与冷却功能可选,且可替换

      300W CCP 等离子体模块,支持热模式与等离子体增强模式

      可与手套箱集成,支持多种取放样方式

      支持多腔体互联,实现原位多层膜沉积(PECVD&PEALD)

配置选型:


配置特点:

      样品尺寸:6寸、8寸、12寸

      本底真空优于 5 × 10-2 Torr

      前驱物管路:最多 6 路前驱物,其中一路为H2O

      反应气体:氧气,臭氧,氮气,氨气,氢气,根据镀膜材料选择

      前驱物加热与冷却功能可选,且可替换

      300W CCP 等离子体模块,支持热模式与等离子体增强模式

      可与手套箱集成,支持多种取放样方式

      支持多腔体互联,实现原位多层膜沉积(PECVD&PEALD)