等离子体增强化学气相沉积系统

型号：CVD-SC4/6/8-A00 & ICPCVD-SC4/6/8-A00

品牌：SYSKEY

分类：真空镀膜设备

简述：等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是一种利用等离子体为沉积反应提供能量的化学气相沉积(CVD)技术。PECVD可替代传统CVD在较低的温度下沉积各种薄膜，且能保证较高的薄膜质量。

SYSKEY

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等离子体增强化学气相沉积

Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - PECVD

Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition - ICPCVD

PECVD技术在半导体行业的应用比其他CVD技术更为广泛。PECVD可以在较低的工作温度（小于350°C）下沉积均匀的氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)薄膜，石墨烯薄膜等，CVD技术相比于PVD技术具备更好的阶梯覆盖性和孔隙高填充特性。SYSKEY的系统能精确控制反应压力和衬底温度等关键工艺参数以制备出高质量的薄膜。平板式等离子体源适用于制备氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)薄膜，平板电极也可以用ICP线圈替代，产生的高密度等离子体可实现二维材料沉积。

ICP-CVD原理示意图

二维材料镀膜目前研究和应用比较火热。矽碁科技在ICP-CVD的基础上，针对二维材料开发出适用于石墨烯生长，硫系、硒系二维材料生长设备，可实现高品质二维材料制备。

ICP-CVD石墨烯镀膜

ICP-CVD硫化/硒化镀膜

应用领域：

● SiOx、SiNx、α-Si薄膜

● DLC超硬镀膜

● 有机显示、有机钙钛矿太阳能电池领域薄膜封装

● CIGS太阳能电池硒化

● 医疗领域相关产品

● 二维材料镀膜（Graphene, MoS2, MoSe2, WS2, WSe2等）


应用展示：









配置特点：

● 最大可加载 12 英寸直径的晶圆

● 薄膜均匀度优于±5%

● 最多 10 路气体管路，质量流量精确控制

● 基板最高可加热至 700°C，根据工艺制程定制

● 直接电容耦合等离子体（平板式）、远程电容耦合等离子体（CCP）、电感耦合等离子体（ICP）

● 可配备等离子体自清洁功能

● 可选配单片或多片加载腔

● 可与手套箱集成，也可以与其他CVD设备集成