磁控溅射镀膜系统

型号：SP-LC4-A0X / SP-LC6-A0X / SP-LC8-A0X

品牌：SYSKEY

分类：真空镀膜设备

简述：磁控溅射是物理气相沉积技术 (Physical Vapor Deposition, PVD) 的一种。一般用于制备金属、半导体、绝缘体等薄膜材料，具有设备简单、易于控制、效率高，面积大等优点。磁控溅射原理：通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。

SYSKEY

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磁控溅射是物理气相沉积技术 (Physical Vapor Deposition, PVD) 的一种。一般用于制备金属、半导体、绝缘体等薄膜材料，具有设备简单、易于控制、效率高，面积大等优点。磁控溅射原理：通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来诱导Ar离子轰击材料表面，溅射出材料以沉积。

磁控溅射原理

磁控溅射镀膜的关键在于靶枪的设计和气路的设计，矽碁采用优化的靶枪设计和气路控制设计，将系统调配到磁控溅射适合的工艺窗口。

靶枪设计特点


根据客户不同的真空度要求，我们可定制真空系统，其中包括高真空版本（5 × 10-7 Torr），近超高真空版本（5 × 10-9 Torr），以及超高真空版本（5 × 10-10 Torr），以满足不同应用领域和薄膜质量的需求。对于基底材料的特殊要求，我们可提供不同功能的样品台，可实现加热或者冷却。


加热型样品台


冷却型样品台


样品台偏压


应用领域：

     ● 金属薄膜制备

     ● 半导体薄膜制备

     ● 氧化物、氮化物、多元氧化物薄膜制备

     ● 太阳能电池

     ● 超导材料

     ● 光学薄膜

     ● 磁性薄膜

     ● 超硬薄膜


应用展示：




配置选型：


配置特点：

     ● 腔体尺寸：根据靶枪数量和衬底尺寸确定

     ● 极限真空优于 5 × 10-7 Torr，5 × 10-9 Torr （near UHV），5 × 10-10 Torr （UHV）

     ● 单基片设计，尺寸可定制，常规尺寸 8 寸并向下兼容

     ● 基片可加热：Max. 300℃/500℃/800℃

     ● 最多可拓展 8 支磁控溅射靶枪，可共溅射

     ● 靶枪角度可调，溅镀距离可调，可选配强磁靶

     ● 可选配多路气路，支持反应溅射

     ● 防交叉污染隔板设计

     ● 可配备离子束辅助沉积

     ● 可配备样品射频清洗/刻蚀功能

     ● 可配备快速进样室

     ● 可配备自动压力控制系统

     ● 全自动操作系统

     ● 薄膜均匀度小于 ±3%

配置选型：


配置特点：

     ● 腔体尺寸：根据靶枪数量和衬底尺寸确定

     ● 极限真空优于 5 ×10-7 Torr，5 ×10-9 Torr （near UHV），5 ×10-10 Torr （UHV）

     ● 单基片设计，尺寸可定制，常规尺寸 8 寸并向下兼容

     ● 基片可加热：Max. 300℃/500℃/800℃

     ● 最多可拓展 8 支磁控溅射靶枪，可共溅射

     ● 靶枪角度可调，溅镀距离可调，可选配强磁靶

     ● 可选配多路气路，支持反应溅射

     ● 防交叉污染隔板设计

     ● 可配备离子束辅助沉积

     ● 可配备样品射频清洗/刻蚀功能

     ● 可配备快速进样室

     ●  可配备自动压力控制系统

     ● 全自动操作系统

     ● 薄膜均匀度小于 ±3%