型号:EB-LC4-A0X / EB-LC6-A0X / EB-LC8-A0X
品牌:SYSKEY
分类:真空镀膜设备
简述:对传统热蒸发技术难以实现的材料蒸发,可采用电子束蒸发的方式来实现。不同于传统的辐射加热和电阻丝加热,高能电子束轰击可实现超过3000℃的局域高温,这使得绝大部分常用材料都可以被蒸发出来,甚至是高熔点的材料,例如,Pt,W,Mo,Ta以及一些氧化物,陶瓷材料等。矽碁提供的电子束蒸发源可承载1-6种不同的材料,实现多层膜工艺;蒸发源本身防污染设计,使得不同材料之间的交叉污染得以降低。
电子束蒸发镀膜
E-beam Evaporation
在真空环境下用聚焦电子束加热的方式将材料加热到蒸发,真空腔室内的基片和衬底表面会形成薄膜或涂层,此过程被称为真空热蒸镀,加热材料的方式主要有热舟式和坩埚式。
电子束蒸发原理图
由于电子束轰击的局域加热特性,使得高熔点材料也可以得到有效加热,电子束蒸发在热蒸发的基础上,可实现高熔点材料的镀膜,例如导电金属,Ti, Pt, Mo, W 等,也可以用于介质材料的镀膜,SiO2, TiO2, Al2O3, 还有键能较高的氮化物TiN,AlN 等。电子束蒸发相比于热蒸发具有更高的灵活性和材料覆盖能力,用户仅需选择蒸发工位容量和数量即可。
电子束蒸发特点
系统的自动控制采用的是石英晶振自动控制的Rate Control镀膜机制,在整个薄膜形成过程中,蒸发速率是恒定的,在累积到目标薄膜厚度时,系统会自动结束镀膜,以实现厚度的精确控制。
Rate control 原理
根据客户不同的真空度要求,我们可定制真空系统,其中包括高真空版本(5 × 10-7 Torr),近超高真空版本(5 × 10-9 Torr),以及超高真空版本(5 × 10-10 Torr),以满足不同应用领域和薄膜质量的需求。对于基底材料的特殊要求,我们可提供不同功能的样品台,可实现加热或者冷却。
加热型样品台
冷却型样品台
多片样品台
样品台偏压
针对金属和介质的Lift-off工艺,我们可提供Lift-off专用型电子束蒸发。针对超导领域的约瑟夫森结,我们可提供样品台倾斜设计的超高真空版本电子束蒸发。针对光学镀膜,也可以配置离子源辅助的电子束蒸发。
Lift-off工艺特点
双倾角镀膜样品台-约瑟夫森结
离子源辅助电子束蒸发-光学镀膜
应用领域:
● 金属/介质 Lift-Off 工艺
● 多层膜金属电极
● 超导约瑟夫森结制备
● 光学镀膜
应用展示:
配置选型:
配置特点:
● 腔体尺寸:根据镀膜基片尺寸、数量和镀膜距离确定
● 极限真空优于 3 × 10-7 Torr(可选超高真空版本 5 × 10-9 Torr)
● 基片台:常规支持 8 寸并向下兼容;可定制特殊尺寸样品夹具,支持单片镀膜或多片同时镀膜
● 电子枪功率 6 kW / 10 kW,坩埚数量:1/4/6,坩埚容量:7 / 15 / 25 / 40 cc
● 坩埚防污染设计
● 全自动镀率控制石英晶振监控
● 基片可选加热:Max. 300℃ / 500℃ / 800℃
● 基片可选水冷或液氮冷却
● 可配备离子束辅助沉积,用于光学薄膜制备
● 可配备快速进样室,可选配样品射频清洗/刻蚀功能
● 可与手套箱集成
● 可根据用户要求将其它镀膜技术与电子束蒸发集成,例如磁控溅射、热蒸发等
● 薄膜均匀度优于 ±3%
配置选型:
配置特点:
● 腔体尺寸:根据镀膜基片尺寸、数量和镀膜距离确定
● 极限真空优于 3 × 10-7 Torr(可选超高真空版本5 × 10-9 Torr)
● 基片台:常规支持 8 寸并向下兼容;可定制特殊尺寸样品夹具,支持单片镀膜或多片同时镀膜
● 电子枪功率 6 kW / 10 kW,坩埚数量:1/4/6,坩埚容量:7 / 15 / 25 / 40 cc
● 坩埚防污染设计
● 全自动镀率控制石英晶振监控
● 基片可选加热:Max.300℃ / 500℃ / 800℃
● 基片可选水冷或液氮冷却
● 可配备离子束辅助沉积,用于光学薄膜制备
● 可配备快速进样室,可选配样品射频清洗/刻蚀功能
● 可与手套箱集成
● 可根据用户要求将其它镀膜技术与电子束蒸发集成,例如磁控溅射、热蒸发等
● 薄膜均匀度优于 ±3%
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