4700 薄膜分析仪

型号:4700

品牌:PHI

分类:俄歇电子能谱仪AES

简述:PHI 4700 以 AES 分析技术为基础,搭配高灵敏度的半球型能量分析器、 10 kV LaB6 扫描式电子枪、5 kV 浮动柱状式Ar离子枪及高精密度的自动样品台,可对样品进行俄歇纵深分析、微区域的失效分析,提供全自动与高效率的解决方法。

优点

     ● 薄膜成分分析

     ● 膜层的厚度测量

     ● 检测相互扩散层

     ● 微米范围多点分析


基本规格

全自动多样品纵深分析

     ● PHI 4700 薄膜分析仪在微小区域的纵深分析上拥有优异的分析能力,可在SEM图像上对微米级区域快速进行深度分析。图2是长年使用的移动电话镀金电极正常与变色两个样品的纵深分析结果,两者材质皆为镀金的锡磷合金。从电极二(变色电极)的深度分析结果可看到金属锡扩散到镀金膜上,界面腐蚀导致镀金层氧和锡含量变高,从而导致电极变色。



图1 – 图左镀金电极正常样品纵深分析结果 图右镀金电极变色样品纵深分析结果,可看到金属锡扩散到了镀金膜层


高感度半球型能量分析器

     ● PHI 4700 半球形能量分析器和高传输输入镜头可提供高灵敏度,大幅缩短样品分析时间。除此之外,PHI 4700 具有全自动的分析功能,可在短时间内测量多个样品。点选屏幕上软件所显示的样品台,可以记录样品的分析位置,从而对不同样品或者样品的不同位置进行分析。



纪录量测位置 > 多样品量测之图谱 > 多样品之纵深分析


10 kV LaB6扫瞄式电子枪

     ● PHI 的 06-220 电子枪使用 LaB为电子源灯丝,具有稳定且使用寿命较长的特点,主要在氩气溅射薄膜时进行深度分析。06-220 电子枪打在样品表面可进行二次电子成像,进行俄歇表面分析和多点分析。其加速电压在 0.2-10 kV 区间可调。电子束的最小尺寸可小于 80 纳米。


浮动柱状式Ar离子枪

     ● PHI 的 FIG- 5B 浮动柱状式Ar离子枪可提供 5 V-5 kV 能量的 Ar 离子。大电流高能量离子束用于厚膜,小电流低能量离子束(250-500 V)用于超薄膜。浮动柱状式,确保高蚀刻率与低加速电压。物理弯曲柱会停止高能量的中性原子,从而改善了接口定义和减少对邻近地区的溅射。浮动柱状式设计确保了低加速电压下的高刻蚀效率,物理弯曲柱会阻止高能量的中性原子通过,从而改善了接口定义,减少了对临近区域的损伤。


五轴电动样品台和Zalar方位旋转

     ● PHI 的15-680 精密样品台提供 5 轴样品传送:X、Y、Z,旋转和倾斜。所有轴都可通过软件控制,以方便就多个样品进行的自动纵深分析。样品台提供 Zalar(方位角)旋转的纵深剖析,使溅射区域更加均匀,以优化纵深分析。


PHI SmartSoft用户界面

     ● PHI SmartSoft 是一个方便使用的仪器操作软件。软件通过任务导向和卷标横跨顶部的显示指导用户输入样品,定义分析点,并设定分析。一个强大的“自动Z轴定位”功能可定义多个分析点并达到理想的样品分析定位。简洁明了的界面设计及软件功能设置可以让操作者快速上手,方便设置,保存和调取分析参数。



图3 - PHI SmartSoft用户界面说明:自动多样品分析,二次电子成像,俄歇谱和俄歇表面成像


可选用配备

     ● 热/冷样品台

     ● 样品真空传送管(Sample Transfer vessel)


应用领域

     ● 半导体薄膜产业

     ● 微电子封装产业

     ● 无机光电产业

     ● 微摩擦学