VersaProbe 4 X射线光电子能谱XPS

型号：VersaProbe 4

品牌：PHI

分类：X射线光电子能谱XPS

简述：VersaProbe 4 配置了新设计的能量分析器，能实现从微区到大面积的高灵敏度分析。同时还具备高精度的角度接受器、自动荷电中和技术以及多样化的选配方案等特性，能够提供良好的深度分辨率。所有的这些特性都与自动化技术相结合，使得 VersaProbe 4 能够集高灵敏度、高可靠性和高可扩展性等优势于一体。

PHI

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XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy)，又称 ESCA (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)，是利用 X 射线入射样品表面，探测样品表面出射的光电子，来获得表面组成及化学态信息的一种表面分析方法。XPS 可对元素成分进行定性定量分析，同时通过微聚焦扫描技术可以实现微米级空间分辨能力，因此广泛应用于科学研究和高科技产业等领域，包括材料科学、能源科学、半导体器件、微电子器件以及表面处理和表面异常检测等。


关键技术

● 从小面积到大面积的高灵敏度分析

● 卓越的深度剖析表现

● 自动电荷双束中和技术

● 自动化和远程控制，提供灵活的工作环境

● 多样化的配置


微聚焦的扫描X射线源

高灵敏度和低噪音能量分析器

● 作为一种重要的表面分析方法，广泛应用于固体材料表面的元素组分和化学态的研究，例如电池材料、催化剂、集成电路、半导体、金属、聚合物、陶瓷和玻璃等，可满足从研发到失效分析的广泛分析需求。

● 采用了新的高灵敏度分析器，灵敏度是上一代的 2 倍，具有更低的检测限，能够实现从微区(<10 µm)到大面积(>1 mm)的高灵敏度化学态分析。

● 微聚焦扫描 X 射线和 SXI 影像，通过类似 SEM 的 SXI 影像可以作为样品导航，实现精准地定义微区分析位置。

*SXI : 扫描X射线激发的二次电子影像





卓越的深度剖析表现

使用微区XPS分析技术进行准确的深度剖析

● VersaProbe 4 的高灵敏度微区分析和高度可重现的中和性能确保了深度分析的卓越性能。样品倾斜和样品旋转相结合，可同时实现高深度分辨率和高能量精度。



在不同起飞角（TOA）下获得的 10 nm SiO2/ Si 薄膜的深度剖析结果




自动电荷双束中和技术

无需参数调整即可满足任何绝缘样品微区分析的荷电中和需求

● VersaProbe 4 配备了自动中和技术，无需分别对每个待测样品进行中和参数调整。自动中和采用低能量电子束和低能量离子束的双束同时中和的技术，实现了简单可靠的高效中和。

● 该技术适用于中和各种材料，配合操作软件所提供的图像配准功能，可为微区分析带来出色的自动化操作体验。对于无机/有机混合材料以及从微区到大面积的所有分析尺寸，均可进行可靠且自动化的检测分析。




微区特征的图像配准功能


自动化和远程控制，提供灵活的工作环境

远程访问实现对仪器的远程控制

● VersaProbe 4 允许通过公司的局域网或互联网访问仪器。一旦样品被引入分析室，就可以使用 Intro 照片和 SXI 导航样品，创建采集任务的自动队列，并可远程检查测量状态和分析数据。我们的专业人员可对仪器进行远程诊断。




多样化的配置

● Ar 团簇离子枪（Ar-GCIB）

● UPS（紫外光电子能谱）

● LEIPS（低能量反光电子能谱）配件用于 AES 分析的扫描电子枪配件

● 专用 REELS 电子枪

● 可拓展的样品进样室

● 样品传送管

● 冷热变温样品台

● 4 触点冷热变温样品台

● 双阳极X射线源

● C60 离子枪

● 样品预制备腔室