半导体工艺设备
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移动通信测试
型号:TS系列 LPCVD
品牌:TEMPRESS
分类:氧化炉/扩散炉
简述:低压化学气相淀积(LPCVD)是在低压条件下通过气体混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体膜的工艺。例如:氮化硅薄膜淀积、多晶硅薄膜淀积、非晶硅薄膜淀积、二氧化硅薄膜淀积等。
TEMPRESS
● 适用于氮化硅工艺 – 标准和低应力工艺
● 适用于掺杂、非掺杂多晶硅工艺
● 适用于掺杂、非掺杂 TEOS 工艺
● 适用于掺杂、非掺杂 LTO/ HTO
● 支持 6 ~ 12 寸的晶圆
● 有保证的工艺指标
● 可提供所有标准工艺和定制化工艺
主要系统特性
● 在一个系统中进行原位氧化和多晶沉积
● 提供固有和原位掺杂聚工艺
● 高批量负载
● 高达 210mm 的晶圆尺寸
客户利益
● 卓越的钝化 iVoc > 整个负载下 730 mW
● 通过高系统吞吐量实现低的 CoO
● 在大批量生产中久经考验的 TOPCon 生产解决方案