SENTECH-等离子体增强化学气相沉积 - (SI 500 PPD)

型号:SI 500 PPD

品牌:SENTECH

分类:化学气相沉积

简述:SI 500 PPD 等离子体增强化学气相沉积系统采用经典平行板电极设计,兼容低温沉积工艺。

等离子体增强化学气相沉积

Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - PECVD


SI 500 PPD PECVD 采用经典平行板电极设计,兼容低温沉积工艺。


主要配置特点

      工艺灵活性:SI 500 PPD PECVD 可在从室温到 350℃ 的温度范围内进行 SiO2、SiNx、SiOxNy 和 α-Si 的标准的等离子体化学气相沉积工艺。

       预真空室:SI 500 PPD PECVD 的特色是配备预真空室和干泵,用于无油、高效率化学气相沉积过程。

       控制软件:SENTECH强大的用户界面友好软件,包括模拟图形用户界面、参数窗口、工艺菜单编辑窗口、数据记录和用户管理。


应用展示

低温沉积Si、SiO2薄膜

用户友好控制软件

SI 500 PPD配置选项

      等离子体增强化学气相沉积主机

      预真空室

      适用于大到 200mm 的晶片

      衬底温度:从室温到 350 °C

      可选低频射频进一步降低应力

      用于沉积 TEOS 的液态前驱体解决方案

      干泵组